化學氣相沉積(CVD)工藝技術特點
化學氣相沉(chen)積(ji)(ji)(CVD)是(shi)用化學方法(fa)使反(fan)應(ying)氣體在零件基材(cai)表(biao)面(mian)(mian)發生化學反(fan)應(ying)而形成覆(fu)蓋層的(de)(de)方法(fa)。通常CVD是(shi)在高溫(wen)(800~1000℃)和常壓(ya)或低壓(ya)下(xia)進行的(de)(de),沉(chen)積(ji)(ji)裝置如圖3-13所示(shi)。 a.反(fan)應(ying)氣體向工(gong)件表(biao)面(mian)(mian)擴散并被(bei)吸(xi)附。 b.吸(xi)收工(gong)件表(biao)面(mian)(mian)的(de)(de)各種...