漏磁場有兩種拾取方法，既可(ke)以(yi)測(ce)量(liang)(liang)漏磁感應強(qiang)度的絕對值，也可(ke)以(yi)測(ce)量(liang)(liang)漏磁感應強(qiang)度的梯度值。

  磁(ci)場(chang)傳感(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)的(de)(de)作用是將磁(ci)場(chang)轉換為電信(xin)號(hao)。按原理可分(fen)為體效(xiao)(xiao)應(ying)元件(jian)、面效(xiao)(xiao)應(ying)元件(jian)、P-N節(jie)注入(ru)和表(biao)(biao)面復合效(xiao)(xiao)應(ying)元件(jian)、量(liang)子效(xiao)(xiao)應(ying)元件(jian)、磁(ci)致伸縮效(xiao)(xiao)應(ying)元件(jian)和光(guang)纖磁(ci)傳感(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)等。磁(ci)場(chang)傳感(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)都是建立(li)在(zai)(zai)各(ge)種(zhong)效(xiao)(xiao)應(ying)和物(wu)理現(xian)象的(de)(de)基(ji)礎之上的(de)(de)，表(biao)(biao)3-1給(gei)出(chu)了(le)不同種(zhong)類磁(ci)場(chang)傳感(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)的(de)(de)測量(liang)范圍，它們的(de)(de)敏感(gan)(gan)(gan)范圍差異較大。在(zai)(zai)具體應(ying)用過程(cheng)中，需要根據測量(liang)對象的(de)(de)特點來選擇適(shi)合的(de)(de)傳感(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)。

  在不銹鋼管漏磁檢測中，常使用的有下列幾種磁敏傳感器。

1. 各向(xiang)異性磁阻傳感器

  各向(xiang)(xiang)異(yi)(yi)性(xing)(xing)磁(ci)(ci)(ci)阻(zu)(zu)(zu)傳(chuan)感器 AMR（Anisotropic Magneto-Resistive sensors）由沉積在硅(gui)片上的(de)(de)坡莫(mo)合金（Ni80Fe20）薄膜形成電(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)，沉積時(shi)外加磁(ci)(ci)(ci)場(chang)，形成易磁(ci)(ci)(ci)化(hua)軸方(fang)(fang)向(xiang)(xiang)。易磁(ci)(ci)(ci)化(hua)軸方(fang)(fang)向(xiang)(xiang)是指各向(xiang)(xiang)異(yi)(yi)性(xing)(xing)的(de)(de)磁(ci)(ci)(ci)體能獲得(de)最(zui)佳磁(ci)(ci)(ci)性(xing)(xing)能的(de)(de)方(fang)(fang)向(xiang)(xiang)，也就是無外界磁(ci)(ci)(ci)干擾時(shi)磁(ci)(ci)(ci)疇整齊(qi)排列(lie)的(de)(de)方(fang)(fang)向(xiang)(xiang)。鐵磁(ci)(ci)(ci)材(cai)料的(de)(de)電(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)與(yu)電(dian)(dian)流(liu)和磁(ci)(ci)(ci)化(hua)方(fang)(fang)向(xiang)(xiang)的(de)(de)夾角有關，電(dian)(dian)流(liu)與(yu)磁(ci)(ci)(ci)化(hua)方(fang)(fang)向(xiang)(xiang)平行時(shi)電(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)R最(zui)大(da)，電(dian)(dian)流(liu)與(yu)磁(ci)(ci)(ci)化(hua)方(fang)(fang)向(xiang)(xiang)垂直時(shi)電(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)Rmin最(zui)小(xiao)，電(dian)(dian)流(liu)與(yu)磁(ci)(ci)(ci)化(hua)方(fang)(fang)向(xiang)(xiang)成0角時(shi)，電(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)可(ke)表示為(wei)

  R=Rmin+(Rmax-Rmin)cos2θ   (3-2)

  在(zai)磁(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)阻傳感器中，為了消除溫度(du)等外(wai)界因(yin)素對(dui)輸出的(de)影響，一般由(you)4個相同的(de)磁(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)阻元件構成(cheng)惠(hui)斯通電橋。理論(lun)分析與實(shi)踐表明(ming)，采用45°偏(pian)置磁(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)場(chang)，當(dang)沿(yan)與易(yi)磁(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)化(hua)軸(zhou)垂直的(de)方向施加外(wai)磁(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)場(chang)，且外(wai)磁(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)場(chang)強(qiang)度(du)不太(tai)大時(shi)，電橋輸出與外(wai)加磁(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)場(chang)強(qiang)度(du)呈線性關系(xi)。

2. 磁(ci)通門

  磁(ci)通(tong)門(men)傳感(gan)器又稱(cheng)為磁(ci)飽(bao)和(he)式磁(ci)敏傳感(gan)器，它是(shi)利用某些高磁(ci)導率的軟磁(ci)性材料（如坡莫合(he)金）做磁(ci)心，以(yi)其(qi)在交直流磁(ci)場(chang)作用下的磁(ci)飽(bao)和(he)特性以(yi)及法拉第電磁(ci)感(gan)應原理(li)研(yan)制的磁(ci)場(chang)測量裝置。

  這種(zhong)磁(ci)(ci)(ci)敏(min)傳(chuan)感(gan)器(qi)的最(zui)大特點是適合(he)測量(liang)零磁(ci)(ci)(ci)場(chang)(chang)附近的弱(ruo)磁(ci)(ci)(ci)場(chang)(chang)。傳(chuan)感(gan)器(qi)體積(ji)小，重量(liang)輕(qing)，功耗低，不受磁(ci)(ci)(ci)場(chang)(chang)梯(ti)度影響，測量(liang)的靈敏(min)度可(ke)達(da)0.01nT，并且可(ke)以和磁(ci)(ci)(ci)秤混合(he)使(shi)用(yong)(yong)。該(gai)裝置已普遍應用(yong)(yong)于(yu)航空、地面、測井等(deng)方(fang)面的磁(ci)(ci)(ci)法勘探工作中(zhong)。在軍事上，也(ye)可(ke)用(yong)(yong)于(yu)尋找地下(xia)武器(qi)（炮彈、地雷(lei)等(deng)）和反潛。還可(ke)用(yong)(yong)于(yu)預報天然地震及空間磁(ci)(ci)(ci)測等(deng)。

3. 巨磁阻元件

  物(wu)質(zhi)(zhi)在(zai)一定磁(ci)(ci)場作用(yong)下(xia)(xia)電(dian)阻(zu)發生(sheng)改變(bian)(bian)的(de)(de)(de)(de)(de)現象(xiang)，稱為(wei)(wei)(wei)磁(ci)(ci)阻(zu)效應(ying)。磁(ci)(ci)性金(jin)屬和(he)合(he)金(jin)材(cai)料(liao)(liao)一般都(dou)有(you)這種(zhong)現象(xiang)。一般情況下(xia)(xia)，物(wu)質(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)阻(zu)率在(zai)磁(ci)(ci)場中(zhong)僅發生(sheng)微小的(de)(de)(de)(de)(de)變(bian)(bian)化，但在(zai)某(mou)種(zhong)條件下(xia)(xia)，電(dian)阻(zu)變(bian)(bian)化的(de)(de)(de)(de)(de)幅度相(xiang)(xiang)當(dang)大，比通(tong)常情況下(xia)(xia)高十余倍，稱為(wei)(wei)(wei)巨磁(ci)(ci)阻(zu)效應(ying)（GMR）。這種(zhong)效應(ying)來自于載流(liu)電(dian)子的(de)(de)(de)(de)(de)不(bu)同自旋狀(zhuang)態(tai)與(yu)磁(ci)(ci)場的(de)(de)(de)(de)(de)作用(yong)不(bu)同，因而(er)導(dao)致電(dian)阻(zu)值的(de)(de)(de)(de)(de)變(bian)(bian)化。GMR是(shi)一個量子力學(xue)效應(ying)，它是(shi)在(zai)層(ceng)狀(zhuang)的(de)(de)(de)(de)(de)磁(ci)(ci)性薄膜結構中(zhong)觀察(cha)到的(de)(de)(de)(de)(de)，這種(zhong)結構由(you)鐵磁(ci)(ci)材(cai)料(liao)(liao)和(he)非磁(ci)(ci)材(cai)料(liao)(liao)薄層(ceng)交替疊合(he)而(er)成。當(dang)鐵磁(ci)(ci)層(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)磁(ci)(ci)矩相(xiang)(xiang)互平行時，載流(liu)子與(yu)自旋有(you)關(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)散射最(zui)(zui)(zui)小，材(cai)料(liao)(liao)有(you)最(zui)(zui)(zui)小的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)阻(zu)。當(dang)鐵磁(ci)(ci)層(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)磁(ci)(ci)矩為(wei)(wei)(wei)反(fan)向平行時，與(yu)自旋有(you)關(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)散射最(zui)(zui)(zui)強，材(cai)料(liao)(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)阻(zu)最(zui)(zui)(zui)大。

  構(gou)成(cheng)(cheng)(cheng)GMR磁(ci)(ci)(ci)頭和(he)傳感(gan)器的(de)(de)(de)(de)核心元(yuan)件(jian)(jian)(jian)是(shi)自(zi)旋(xuan)閥（spin valve）元(yuan)件(jian)(jian)(jian)。它的(de)(de)(de)(de)基(ji)本結構(gou)是(shi)由(you)釘扎磁(ci)(ci)(ci)性(xing)層(ceng)(ceng)（如(ru)(ru)Co）、Cu間隔層(ceng)(ceng)和(he)自(zi)由(you)磁(ci)(ci)(ci)性(xing)層(ceng)(ceng)（如(ru)(ru)NiFe等(deng)易磁(ci)(ci)(ci)化(hua)層(ceng)(ceng)）組成(cheng)(cheng)(cheng)的(de)(de)(de)(de)多層(ceng)(ceng)膜。由(you)于釘扎磁(ci)(ci)(ci)性(xing)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)磁(ci)(ci)(ci)矩與自(zi)由(you)磁(ci)(ci)(ci)性(xing)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)磁(ci)(ci)(ci)矩之間的(de)(de)(de)(de)夾(jia)角(jiao)發生變(bian)化(hua)會(hui)導致SV-GMR元(yuan)件(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)電阻(zu)值改變(bian)，進而使輸(shu)出電流(liu)發生變(bian)化(hua)。運(yun)用SV-GMR元(yuan)件(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)磁(ci)(ci)(ci)傳感(gan)器，其(qi)檢測(ce)靈敏度比使用MR元(yuan)件(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)高(gao)幾個(ge)數量級，更(geng)容(rong)易集成(cheng)(cheng)(cheng)化(hua)，封裝尺寸更(geng)小，可(ke)靠性(xing)更(geng)高(gao)。它不僅可(ke)以(yi)(yi)取(qu)代以(yi)(yi)前的(de)(de)(de)(de)MR傳感(gan)器，還可(ke)以(yi)(yi)制成(cheng)(cheng)(cheng)傳感(gan)器陣列，實現(xian)(xian)智能化(hua)，用來表述通行車輛、飛機機翼(yi)、建筑(zhu)防(fang)護裝置或管道(dao)系統中(zhong)隱蔽缺陷(xian)的(de)(de)(de)(de)特征，跟蹤(zong)地磁(ci)(ci)(ci)場的(de)(de)(de)(de)異常現(xian)(xian)象(xiang)等(deng)。當前，GMR傳感(gan)器已在液(ye)壓(ya)氣(qi)缸(gang)位置傳感(gan)、真假(jia)紙幣識別、軸承編碼、電流(liu)檢測(ce)與控(kong)制、旋(xuan)轉位置檢測(ce)、車輛通行情況(kuang)檢測(ce)等(deng)領域(yu)得到應(ying)用。

4. 霍爾(er)元件

  霍爾(er)元(yuan)件在(zai)漏磁檢(jian)測中(zhong)應用(yong)較為(wei)廣泛(fan)。霍爾(er)元(yuan)件是由半導體(ti)材料制成(cheng)的(de)一種晶體(ti)。當給(gei)晶體(ti)材料通以(yi)電流并置于磁場(chang)之中(zhong)時，在(zai)晶體(ti)的(de)兩面就會產生(sheng)電壓，電壓的(de)大小與磁場(chang)強度成(cheng)正比(bi)關系。

  固(gu)體(ti)(ti)導電材料幾乎(hu)可(ke)以使(shi)電子暢通無阻地(di)流(liu)過，就像傳統的(de)臺球(qiu)模型演示的(de)那樣，晶(jing)體(ti)(ti)點陣上的(de)離子不會使(shi)傳導電子發(fa)生折射。當(dang)電流(liu)由晶(jing)體(ti)(ti)的(de)一端輸入時，電子或者(zhe)相互之間發(fa)生折射，或者(zhe)向著(zhu)晶(jing)體(ti)(ti)的(de)另一端折射。

  根據固體(ti)物理理論可(ke)知，晶體(ti)上的電壓Vh為： Vh=RhIBz/b  (3-3)

  式中，1為(wei)所使用的電流(liu)；Bz為(wei)磁場強度在垂直于(yu)電流(liu)方向(xiang)上的分量；b為(wei)晶體在磁場方向(xiang)上的厚度；Rh為(wei)霍爾(er)系數(shu)。

  一(yi)般情況下，如果晶(jing)體(ti)與磁(ci)場B之間成(cheng)一(yi)定夾角(jiao)，則 B2=Beosθ。

  由金屬制(zhi)成的(de)霍(huo)(huo)爾(er)(er)元件并不(bu)是最好的(de)，因為金屬的(de)霍(huo)(huo)爾(er)(er)系數(shu)都很低。根據霍(huo)(huo)爾(er)(er)元件工作(zuo)原理，霍(huo)(huo)爾(er)(er)系數(shu)越大，霍(huo)(huo)爾(er)(er)電壓也就(jiu)越高(gao)。因此，在制(zhi)作(zuo)霍(huo)(huo)爾(er)(er)元件時，一般選用元素周期表中第II和(he)第IV族(zu)元素混合制(zhi)作(zuo)，而(er)且其對溫(wen)度的(de)變化也最不(bu)敏(min)感。此區域(yu)的(de)元素，載(zai)流子一般為空(kong)位而(er)不(bu)是電子。

5. 感(gan)應線圈

  感(gan)應(ying)(ying)(ying)(ying)線圈是鋼管漏磁(ci)檢測中應(ying)(ying)(ying)(ying)用最(zui)為廣泛的磁(ci)敏傳感(gan)器，主要(yao)有水平(ping)和垂(chui)直線圈兩種(zhong)布置方式，如圖3-2所(suo)示。根(gen)據提(ti)離(li)效(xiao)應(ying)(ying)(ying)(ying)和法拉(la)第電(dian)磁(ci)感(gan)應(ying)(ying)(ying)(ying)定(ding)律，為了使檢測信(xin)號與缺陷(xian)特征之間具有良好的對應(ying)(ying)(ying)(ying)關系，感(gan)應(ying)(ying)(ying)(ying)線圈提(ti)離(li)距(ju)離(li)以及掃查(cha)速度應(ying)(ying)(ying)(ying)盡(jin)量(liang)保持恒定(ding)。

  水平(ping)線(xian)圈(quan)(quan)(quan)以(yi)速度v穿越缺陷上(shang)部(bu)漏磁場時所(suo)產生(sheng)的感(gan)應(ying)(ying)電(dian)(dian)動勢(shi)應(ying)(ying)為(wei)(wei)(wei)線(xian)圈(quan)(quan)(quan)前沿和尾部(bu)感(gan)應(ying)(ying)電(dian)(dian)動勢(shi)之差。設線(xian)圈(quan)(quan)(quan)長(chang)度為(wei)(wei)(wei)l、寬(kuan)度為(wei)(wei)(wei)2w、提離(li)值為(wei)(wei)(wei)h1、匝數為(wei)(wei)(wei)，線(xian)圈(quan)(quan)(quan)前沿產生(sheng)電(dian)(dian)動勢(shi)為(wei)(wei)(wei)SueR，線(xian)圈(quan)(quan)(quan)尾部(bu)產生(sheng)電(dian)(dian)動勢(shi)為(wei)(wei)(wei)eL，線(xian)圈(quan)(quan)(quan)產生(sheng)感(gan)應(ying)(ying)電(dian)(dian)動勢(shi)為(wei)(wei)(wei)Δe，根據法(fa)拉(la)第電(dian)(dian)磁感(gan)應(ying)(ying)定(ding)律可得

  此(ci)外(wai)，從(cong)圖3-3中(zhong)可以看出(chu)，水平線(xian)(xian)圈(quan)輸(shu)出(chu)感應(ying)電(dian)動(dong)勢(shi)本(ben)質為處于同一(yi)提離高度(du)的前后導線(xian)(xian)在同一(yi)時(shi)刻的電(dian)動(dong)勢(shi)差動(dong)輸(shu)出(chu)。因此(ci)，感應(ying)線(xian)(xian)圈(quan)電(dian)動(dong)勢(shi)輸(shu)出(chu)與(yu)線(xian)(xian)圈(quan)寬度(du)有(you)關，并存(cun)在最佳寬度(du)使得線(xian)(xian)圈(quan)輸(shu)出(chu)最大感應(ying)電(dian)動(dong)勢(shi)。此(ci)時(shi)，線(xian)(xian)圈(quan)運動(dong)至缺(que)陷中(zhong)間位(wei)置，并且前沿產生(sheng)正向極值電(dian)動(dong)勢(shi)而尾部產生(sheng)反(fan)向極值電(dian)動(dong)勢(shi)，經(jing)過差動(dong)后可獲(huo)取最高感應(ying)電(dian)動(dong)勢(shi)輸(shu)出(chu)。根據式(shi)（3-11），當(dang)x=0時(shi)，可獲(huo)得感應(ying)線(xian)(xian)圈(quan)位(wei)于缺(que)陷中(zhong)間位(wei)置時(shi)電(dian)動(dong)勢(shi)Δeo與(yu)線(xian)(xian)圈(quan)寬度(du)參數w的關系(xi)式(shi)Δeo(w)，即

  同樣，設置(zhi)缺(que)陷寬(kuan)(kuan)度(du)(du)2b為(wei)(wei)0.5mm，深(shen)度(du)(du)d為(wei)(wei)0.75mm以(yi)(yi)(yi)及感(gan)(gan)應(ying)(ying)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)提離高度(du)(du)h1為(wei)(wei)0.25mm，根(gen)據(ju)式（3-13）可獲得最佳(jia)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)寬(kuan)(kuan)度(du)(du)參(can)數wo為(wei)(wei)0.3253mm。根(gen)據(ju)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)最佳(jia)寬(kuan)(kuan)度(du)(du)參(can)數重(zhong)新(xin)計算感(gan)(gan)應(ying)(ying)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)前沿、尾部(bu)以(yi)(yi)(yi)及整(zheng)體輸(shu)(shu)出(chu)感(gan)(gan)應(ying)(ying)電動(dong)(dong)勢(shi)曲(qu)線(xian)(xian)，如圖3-4所示(shi)。從(cong)圖中可以(yi)(yi)(yi)看出(chu)，當(dang)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)移動(dong)(dong)到缺(que)陷正上方(fang)時，線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)前沿感(gan)(gan)應(ying)(ying)電動(dong)(dong)勢(shi)輸(shu)(shu)出(chu)極(ji)小值(zhi)而尾部(bu)輸(shu)(shu)出(chu)極(ji)大(da)值(zhi)，經(jing)差動(dong)(dong)后(hou)水(shui)平線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)輸(shu)(shu)出(chu)電動(dong)(dong)勢(shi)達(da)到最大(da)值(zhi)。檢測線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)的(de)(de)最優(you)寬(kuan)(kuan)度(du)(du)參(can)數與(yu)缺(que)陷尺寸和傳感(gan)(gan)器提離值(zhi)有關。在實際生產過程中，可根(gen)據(ju)鋼(gang)管軋制過程中產生的(de)(de)自然缺(que)陷特(te)征對(dui)檢測線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)寬(kuan)(kuan)度(du)(du)進行優(you)化設計，以(yi)(yi)(yi)達(da)到最佳(jia)的(de)(de)檢測效果。

  下(xia)面進一步討論垂直線圈漏磁信(xin)號輸出特性。

  如圖3-5所示(shi)，垂直線圈(quan)以速度(du)，穿越缺陷上部漏磁(ci)(ci)場時(shi)所產(chan)生的電(dian)動(dong)(dong)勢輸出應(ying)為(wei)線圈(quan)頂部和(he)底(di)部感應(ying)電(dian)動(dong)(dong)勢之差。設線圈(quan)長度(du)為(wei)l、匝數為(wei)、寬度(du)為(wei)2w、中心提離值為(wei)，線圈(quan)頂部產(chan)生電(dian)動(dong)(dong)勢為(wei)er，線圈(quan)底(di)部產(chan)生電(dian)動(dong)(dong)勢為(wei)eB，線圈(quan)產(chan)生整體感應(ying)電(dian)動(dong)(dong)勢為(wei)Δe，根據法拉第電(dian)磁(ci)(ci)感應(ying)定律可(ke)得

  從圖3-5中(zhong)可(ke)以看出(chu)(chu)(chu)，eт、eB和e三(san)者波形相似(si)，垂(chui)(chui)直(zhi)線(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)輸出(chu)(chu)(chu)感應(ying)(ying)電動(dong)勢(shi)本(ben)質為上(shang)下(xia)兩(liang)根導線(xian)在(zai)同(tong)一時刻的(de)(de)電動(dong)勢(shi)差動(dong)輸出(chu)(chu)(chu)。在(zai)缺(que)陷(xian)中(zhong)心(xin)位(wei)置，垂(chui)(chui)直(zhi)線(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)感應(ying)(ying)電動(dong)勢(shi)輸出(chu)(chu)(chu)為零，而在(zai)缺(que)陷(xian)兩(liang)端附近感應(ying)(ying)電動(dong)勢(shi)具有最大(da)輸出(chu)(chu)(chu)值。垂(chui)(chui)直(zhi)線(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)頂部和底部距離越大(da)，整(zheng)體感應(ying)(ying)電動(dong)勢(shi)輸出(chu)(chu)(chu)越大(da)。因此，在(zai)條件允許的(de)(de)情況下(xia)，垂(chui)(chui)直(zhi)線(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)應(ying)(ying)盡(jin)量貼(tie)近鋼管表面(mian)并可(ke)通過(guo)增(zeng)大(da)線(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)的(de)(de)寬度來提高(gao)電動(dong)勢(shi)輸出(chu)(chu)(chu)。但在(zai)設計線(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)寬度時必須考慮背景噪(zao)(zao)聲的(de)(de)影響，垂(chui)(chui)直(zhi)線(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)寬度越大(da)，線(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)包(bao)含(han)的(de)(de)背景噪(zao)(zao)聲越多，從而會降低缺(que)陷(xian)漏磁(ci)信(xin)號的(de)(de)信(xin)噪(zao)(zao)比。